Un débit séquentiel plus élevé que sur les SSD
Samsung vient de présenter une puce de 256 Go destinée à prendre place au sein des appareils mobiles tels les smartphones et les tablettes. La capacité maximale de stockage des terminaux mobiles va donc doubler, tandis que le débit s’approche de plus en plus de ceux des SSD.
Si la plupart des constructeurs d’appareils mobiles recourent à de la mémoire fonctionnant sur un protocole eMMC, il existe un autre protocole nommé UFS. Dérivé du protocole SCSI, celui-ci permet notamment d’obtenir de la mémoire au débit bien plus élevé que sur les mémoires de type eMMC. Il est ainsi question d’une bande passante théorique maximale de 1,2 Go/s en UFS 2.0 contre 600 Mo/s en eMMC 5.1. Attention toutefois, les puces UFS 2.0 peuvent fonctionner sur une ou deux lignes. Sur une seule ligne, le maximum n’est que de 600 Mo/s.
Samsung produit de pareilles puces et propose désormais un modèle de 256 Go — le maximum était jusqu’à présent de 128 Go tous protocoles confondus. Cette puce utilise de la V-NAND, c’est-à-dire de la mémoire aux cellules empilées verticalement de manière à obtenir une meilleure densité. Les débits sont par ailleurs vraiment très élevés puisque le coréen avance 850 Mo/s en lecture séquentielle, soit bien plus que la majorité des SSD — les modèles 2,5″ culminent à 500 Mo/s. Les accès aléatoires restent également d’un bon niveau — même si inférieurs à ceux des SSD — puisqu’il est question de 45 000 et 40 000 IOPS en lecture et écriture aléatoire.
Globalement, ces débits sont deux fois supérieurs à ceux de la puce mémoire intégrée au Samsung Galaxy S6, par exemple. Celui-ci utilise une puce UFS 2.0, mais fonctionnant sur une seule ligne. De bon augure pour le futur Galaxy S8 ou tout autre terminal haut de gamme qui en sera équipé.